TMR Sensör Mıknatısı

TMR sensörünün bazı tanıtımı

TMR sensörü, son yıllarda endüstriyel uygulamalara uygulanan bir manyetodirenç etkisi sensörü yapma çağıdır. TMRsensor, AMR ve GMR sensörlerine göre çok daha yüksek direnç değişim hızına sahiptir, bu sayede düşük maliyet ve güç tüketimi, yüksek tepki frekansı ve hassasiyet gibi birçok avantaj elde edilmiştir. Hongyu, TMR sensörünün yaygın olarak kullanılması nedeniyle TMR sensör mıknatısında da bazı deneyimler topladı.

Tünel Açma Manyetodirenç Etkisi Nedir?

İki ferromanyetik katman ve yalıtım katmanından oluşan sandviç yapı, manyetik tünel bağlantıları (MTJ'ler) olarak adlandırılabilir. İki ferromanyetik katmanın manyetik momentinin göreli yönelimi değiştirilirken MTJ'lerin tünel açma manyeto direnci değişecektir ve bu fenomen tünelleme magetodirenci (TMR) etkisi olarak bilinir. TMR ve GMR bileşeninin yapısı temelde aynıdır ve TMR ve GMR bileşeninin akım yönü sırasıyla katmana dik ve paraleldir.

Sabitlenmiş katmanın mıknatıslanma yönü sabittir ve serbest katmanın mıknatıslanma yönü dış manyetik alana göre ayarlanabilir, bu nedenle TMR bileşeninin elektrik direnci de değişecektir. TMR bileşeni, serbest katmanın mıknatıslanma yönü sabitlenmiş katmana paralel olduğunda ve ardından bariyerden yüksek-akım geçtiğinde en az direnci gösterir. Bunun yerine, mıknatıslanma yönü antiparalel olduğunda direnç önemli ölçüde artacaktır, bu nedenle bariyerden çok az akım geçecektir.

TMR Sensör Mıknatısı Hakkında

Hongyu ekibi, müşterilerin ayrıntılı teknik özelliklere göre uygun TMR sensörünü seçmelerine yardımcı olacak ve ilgili müşterilerle işbirliği yapmayı dört gözle bekleyecektir.